FQPF6N80C
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onsemi FQPF6N80C
| Artikelnummer: | FQPF6N80C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.33 |
| 10+ | $2.092 |
| 100+ | $1.6816 |
| 500+ | $1.3816 |
| 1000+ | $1.1448 |
| 2000+ | $1.0658 |
| 5000+ | $1.0263 |
| 10000+ | $0.9906 |
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onsemi FQPF6N80C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQPF6N80C.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220F-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2.75A, 10V Verlustleistung (max) 51W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1310 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) Grundproduktnummer FQPF6 FQPF6N80C Einzelheiten PDF [English] FQPF6N80C PDF - EN.pdf -
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